光学光刻和极紫外光刻 (德)安迪·爱德曼 著 高伟民,徐东波,诸波尔 译 pdf 在线 2025 epub 免费 书籍 下载

本书在介绍光刻技术应用上，作者涵盖了全面又丰富的内容，在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，本书采用了完整但不繁琐的方法，增加了该书的可读性。在论述光刻技术的共性内容后，该书专门开辟章节，较为详细地介绍了xianjin的极紫外光刻技术的特点和难点，从理论上揭示了极紫外光刻的技术奥秘。该书内容全面、完整、详实、新颖，集这四个特点于一书，目前尚没有一本关于光刻技术方面的书可以与之媲美。该书凝聚了作者30多年光刻领域科研和教学之精华，对于从事芯片领域的专业技术人员，这是一本手册性的内容丰富的参考书。

第1章 光刻工艺概述

1.1 微型化：从微电子到纳米技术

1.2 光刻技术的发展史

1.3 投影光刻机的空间成像

1.4 光刻胶工艺

1.5 光刻工艺特性

1.6 小结

参考文献

第2章 投影光刻的成像原理

2.1 投影光刻机

2.2 成像理论

2.2.1 傅里叶光学描述

2.2.2 倾斜照明与部分相干成像

2.2.3 其他成像仿真方法

2.3 阿贝瑞利准则及其影响

2.3.1 分辨率极限和焦深

2.3.2 影响

2.4 小结

参考文献

第3章 光刻胶

3.1 光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述

3.1.1 光刻胶的分类

3.1.2 基于重氮萘醌的光刻胶

3.1.3 xianjin的正型化学放大光刻胶

3.1.4 现象学模型

3.2 光刻胶工艺步骤和建模方法

3.2.1 技术方面

3.2.2 曝光

3.2.3 曝光后烘焙

3.2.4 化学显影

3.3 建模方法和紧凑光刻胶模型概述

3.4 负型与正型光刻胶材料和工艺

3.5 小结

参考文献

第4章 光学分辨率增强技术

4.1 离轴照明

4.1.1 线空图形的佳离轴照明形态

4.1.2 接触孔阵列的离轴照明

4.1.3 从传统/参数化的照明形态到自由照明形态

4.2 光学邻近效应校正

4.2.1 孤立密集线宽偏差补偿

4.2.2 线端缩短补偿

4.2.3 从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术

4.2.4 OPC模型和工艺流程

4.3 相移掩模

4.3.1 强相移掩模：交替型相移掩模

4.3.2 衰减型或弱相移掩模

4.4 光瞳滤波

4.5 光源掩模协同优化

4.6 多重曝光技术

4.7 小结

参考文献

第5章 材料驱动的分辨率增强

5.1 分辨率极限的回顾

5.2 非线性双重曝光

5.2.1 双光子吸收材料

5.2.2 光阈值材料

5.2.3 可逆对比增强材料

5.3 双重和多重成形技术

5.3.1 光刻刻蚀光刻刻蚀

5.3.2 光刻固化光刻刻蚀

5.3.3 自对准双重成形

5.3.4 双色调显影

5.3.5 双重和多重成形技术的选项

5.4 定向自组装

5.5 薄膜成像技术

5.6 小结

参考文献

第6章 极紫外光刻

6.1 EUV光源

6.2 EUV和多层膜中的光学材料特性

6.3 EUV掩模

6.4 EUV曝光设备和图像形成

6.5 EUV光刻胶

6.6 EUV掩模缺陷

6.7 EUV光刻的光学分辨率极限

6.7.1 6.xnm波长的超极紫外光刻

6.7.2 高数值孔径EUV光刻

6.7.3 低k1技术：EUV光刻的光学分辨率增强技术

6.8 小结

参考文献

第7章 投影成像以外的光刻技术

7.1 非投影式光学光刻：接触式和接近式光刻

7.1.1 图像形成和分辨率xianzhi

7.1.2 技术实现

7.1.3 xianjin的掩模对准光刻

7.2 无掩模光刻

7.2.1 干涉光刻

7.2.2 激光直写光刻

7.3 无衍射xianzhi的光刻

7.3.1 近场光刻

7.3.2 利用光学非线性

7.4 三维光刻

7.4.1 灰度光刻

7.4.2 三维干涉光刻

7.4.3 立体光刻和三维微刻印

7.5 浅谈无光刻印

7.6 小结

参考文献

第8章 光刻投影系统：高级技术内容

8.1 实际投影系统中的波像差

8.1.1 波像差的泽尼克多项式表示

8.1.2 波前倾斜

8.1.3 离焦像差

8.1.4 像散

8.1.5 彗差

8.1.6 球差

8.1.7 三叶像差

8.1.8 泽尼克像差小结

8.2 杂散光

8.2.1 恒定杂散光模型

8.2.2 功率谱密度（PSD）杂散光模型

8.3 高数值孔径投影光刻中的偏振效应

8.3.1 掩模偏振效应

8.3.2 成像过程中的偏振效应

8.3.3 光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应

8.3.4 投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型

8.3.5 偏振照明

8.4 投影光刻机中的其他成像效应

8.5 小结

参考文献

第9章 光刻中的掩模和晶圆形貌效应

9.1 严格电磁场仿真的方法

9.1.1 时域有限差分法

9.1.2 波导法

9.2 掩模形貌效应

9.2.1 掩模衍射分析

9.2.2 斜入射效应

9.2.3 掩模引起的成像效应

9.2.4 EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略

9.2.5 各种三维掩模模型

9.3 晶圆形貌效应

9.3.1 底部抗反射涂层的沉积策略

9.3.2 靠近栅极的光刻胶底部残余

9.3.3 双重成形技术中的线宽变化

9.4 小结

参考文献

第10章 xianjin光刻中的随机效应

10.1 随机变量和过程

10.2 现象

10.3 建模方法

10.4 依存性及其影响

10.5 小结

参考文献

专业词汇中英文对照表

安迪·爱德曼（Andreas Erdmann)，国际光学工程学会（SPIE）会士，德国弗劳恩霍夫协会（Fraunhofer）下属集成系统和元器件技术研究所（IISB）计算光刻和光学部门的负责人。他还是埃朗根大学（University of Erlangen）的客座教授、国际Fraunhofer光刻仿真研讨会的组织者，主持过国际光学工程学会（SPIE）的光学光刻和光学设计大会。拥有25年以上的光学光刻和极紫外光刻的研究经验，为多个优选光刻仿真软件的发展做出了关键贡献，其中包括光刻仿真软件Dr.LiTHO的研发。

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编辑推荐

"1. 本书概况

光刻机常被成称为“半导体工艺皇冠上的明珠”。谁掌握了光刻机制造技术，谁就可以在大国博弈中立于不败之地。本书在介绍光刻技术应用上，作者涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的共性内容后，该书专门开辟章节，较为详细地介绍了最优选的极紫外光刻技术的特点和难点，从理论上揭示了极紫外光刻的技术奥秘。

2.本书特色

（1）本书是一本近期新的光刻技术专著，涵盖了该领域各个重要方面，既有理论的深度又有内容的广度。

（2）目前尚没有一本关于光刻技术方面的书可以与之媲美。该书凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学之精华，对于从事芯片领域的专业技术人员，这是一本手册性的内容丰富的参考书。

（3）本书由ASML团队匠心翻译。"

书籍介绍

《光学光刻和极紫外光刻》是一本Z新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。